02338nam a2200265Ia 4500 000006447 MX-MdCICY 20260521090413.0 180509s2009 mx a f m 0|0 | spa d CICY TM A589 2009 Alvarez Caro, Dora María Crecimiento radical en respuesta a la aplicación del ácido salicílico y nutrimentos en plántulas de chile jalapeño / Dora María Alvarez Caro Mérida, Yuc., 2009 xv, 95 p. : il. ; 23 cm. Tesis (Maestría en Ciencias y Biotecnología de Plantas) .-- Centro de Investigación Científica de Yucatán, 2009. La formación de raíces es controlada por factores externos (Luz, agua, nutrimentos, interacción con otras raíces, etc) , y por factores internos como las características hereditarias y los reguladores de crecimiento vegetal (RCV). El ácido salicílico (AS) recientemente ha sido propuesto como un nuevo tipo de RCV, debido a los efectos inducidos en algunos procesos fisiológicos de las plantas (Raskin, 1992). El objetivo general de este trabajo fue determinar si la aspersión foliar del AS tiene un efecto en el crecimiento de la raíz en las plántulas de Capsicum annuum L., bajo condiciones de crecimiento controladas (en presencia y en ausencia de nutrimentos) y en invernadero. A pesar de no haber diferencias significativas en la longitud de todo el sistema radical y en la longitud de las raíces laterales, se observó que las [AS] de 10-8 Y 10-6 M tuvieron altos valores referente al control. Además, hubo un incremento significativo en la longitud de la raíz principal bajo condiciones específicas de la interacción entre la [AS] de 10-12 M en ausencia de nutrimentos. Estos resultados sugieren que el AS provocó cambios diferenciales en el crecimiento de los componentes de la arquitectura radical en las plántulas de Capsicum annuum. ACIDO ACETILSALICILICO INVESTIGACIONES CAPSICUM ANNUUM CRECIMIENTO CHILE JALAPEÑO CRECIMIENTO REGULADORES DEL CRECIMIENTO DE LAS PLANTAS Larqué Saavedra, Francisco Alfonso, Dr., Asesor de tesis http://cicy.repositorioinstitucional.mx/jspui/handle/1003/1299 Ver el texto completo Loc TE 6043 6043 0 0 Loc 0 0 TS CICY CICY ST 2024-10-09 0 TM A589 2009 T0802 2024-10-09 16:41:53 2024-10-09 TE